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MOSFET Transistor FQP7P06 CANAL P

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El FQP7P06 es un modo de mejora QFET® de canal P de -60 V El MOSFET de potencia se produce utilizando la banda planar patentada de Fairchild Semiconductor y la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en el estado y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha.

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ESPECIFICACIONES:

Tipo FET: Canal P

Tecnología: MOSFET (óxido de metal)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V

Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC: 7 A (Tc)

Tipo de montaje: Orificio pasante

Temperatura de operación: 55 °C ~ 175 °C (TJ) 

Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C: 410 mOhm a 3.5A, 10V

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MOSFET Transistor FQP7P06 CANAL P

MOSFET Transistor FQP7P06 CANAL P

El FQP7P06 es un modo de mejora QFET® de canal P de -60 V El MOSFET de potencia se produce utilizando la banda planar patentada de Fairchild Semiconductor y la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en el estado y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha.

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