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J111 JFET N-Channel

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Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, PD = 625 mW, 30 Ω. Encapsulado TO-92.

*Las imágenes publicadas son meramente ilustrativas y pueden diferir ligeramente del producto final.

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Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-92

Polaridad del transistor: N-Channel

Configuración: Single

Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente: - 35 V

Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0: 20 mA

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 30 Ohms

Dp - Disipación de potencia : 625 mW

Temperatura de trabajo mínima: - 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Serie: J111

Rango de temperatura de trabajo: - 55 C to + 150 C

Tipo: JFET

Voltaje de corte puerta-fuente: - 10 V

Alias de las piezas n.º: J111_NL

Peso de la unidad: 201 mg

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J111 JFET N-Channel

J111 JFET N-Channel

Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, PD = 625 mW, 30 Ω. Encapsulado TO-92.

*Las imágenes publicadas son meramente ilustrativas y pueden diferir ligeramente del producto final.

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