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Nuevo 
J111 JFET N-Channel
Nuevo
Transistor JFET canal N, para aplicaciones de amplificación, Sample & Hold, y conmutación, VDG = 35 V, VGS = -35 V, PD = 625 mW, 30 Ω. Encapsulado TO-92.
*Las imágenes publicadas son meramente ilustrativas y pueden diferir ligeramente del producto final.
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Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-92
Polaridad del transistor: N-Channel
Configuración: Single
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente: - 35 V
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0: 20 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 30 Ohms
Dp - Disipación de potencia : 625 mW
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Serie: J111
Rango de temperatura de trabajo: - 55 C to + 150 C
Tipo: JFET
Voltaje de corte puerta-fuente: - 10 V
Alias de las piezas n.º: J111_NL
Peso de la unidad: 201 mg
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