Transistor Mosfet IRF740

IDSTRN0010038

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Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET es un transistor utilizado para amplificar, conmutación de potencia de alta velocidad.

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$ 25.00

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ESPECIFICACIONES:

  • Material: metal-óxido-semiconductor

  • Polaridad: canal N

  • Encapsulado: TO 220

  • Conmutador de Potencia

  • Corriente de drenador Ic: 10 A

  • Voltaje máximo drenador - fuente (Uds): 400 Voltios

  • Voltaje máximo fuente-puerta (Ugs): 20 Voltios

  • Temperatura máxima de la unión (Tj): °C: 150

  • Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W

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